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超結MOS功率管-SVS11N60FD2-深圳市科瑞芯電子

打印此文發布時間：2022/10/22 13:31:00

信息類型：供應

SVS11N60FD2 電子元器件 Silan/士蘭微封裝TO-262-3L 超結MOS功率管

SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N溝道增強型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結MOS技術制造，具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。

此外，SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2應用廣泛。如，適用于硬/軟開關拓撲。

主要特點
11A,600V, RDS(on)(typ.)=0.3W@VGS=10V
創新高壓技術
低柵極電荷
定期額定雪崩
較強dv/dt能力
高電流峰值

封裝：TO-263-2L
TO-262-3L
TO-252-2L
TO-220FJ-3L
TO-220F-3L
TO-220-3L

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