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超結MOS功率管-SVS5N60DD2-深圳市科瑞芯電子

打印此文發布時間：2022/10/22 15:31:01

信息類型：供應

SVS5N60DD2 電子元器件 Silan/士蘭微封裝TO-252-2L 超結MOS功率管

SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 溝道增強型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結MOS技術平臺制造，具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。

此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2應用廣泛。如，適用于硬/軟開關拓撲。

主要特點
5A,600V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V
創新高壓技術
低柵極電荷
較強的雪崩能力
較強的dv/dt能力
較高的峰值電流能力

封裝：TO-252-2L
TO-220FJH-3L
TO-220FJ-3L
TO-220-3L

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